Machine � force de surface (SFA), mesure de d�placement, concours agr�gation interne 2022.

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Mesures de d�placement.
Pour mesurer le d�placement relatif de la sph�re et du plan, on fixe rigidement la sph�re et le plan � deux disques de duralumin de surface S qu’on approche � une distance e l’un de l’autre en prenant garde au parall�lisme. On suppose que le condensateur, ainsi cr��, ne perturbe pas le fonctionnement du SFA.
2.1 Condensateur plan.
Un tel condensateur est repr�sent� ci-dessous. On rep�re l’axe perpendiculaire aux faces du
condensateur par un axe Oz, de vecteur unitaire ez . Les dimensions du condensateur permettent de n�gliger les effets de bord.


Consid�rons que les deux plaques m�talliques sont plac�es aux abscisses respectives z = 0 et z = e et port�es respectivement aux potentiels V1 et V2. Ces deux plaques forment un condensateur, c’est-�dire qu’elles portent respectivement les charges Q et −Q.
17. Rappeler les �quations de Maxwell v�rifi�es par les champs �lectrique et magn�tique dans le vide. Quelle �quation permet de justifier qu’il est possible, en �lectrostatique, d’�crire
le champ E sous la forme

18. Etablir l’�quation de Laplace v�rifi�e par le potentiel V(z) entre les plaques du condensateur.

d2V / dz2 = 0.
19. R�soudre cette �quation en utilisant les potentiels V1 et V2 et la distance e.
On int�gre deux fois : V(z) = a z +b avec a et b des constantes.
V(0) =V1 = b.
V(e) = V2 = ae+V1 ; a = (V2-V1) / e.
V(z) =
(V2-V1) z / e +V1.
20. En d�duire une premi�re expression du champ �lectrostatique E entre les 2 plaques � lʼaide de V1, V2 ete. Tracer, sur un sch�ma du condensateur, l’allure de quelques lignes du champ E. Pr�ciser leur orientation en supposant V1 > V2.

21. Le champ �tant nul � l’ext�rieur, �tablir une deuxi�me expression du champ �lectrostatique E entre les 2 plaques en fonction de Q, S et e0 la permittivit� du vide.
Expression du champ �lectrique au voisinage d'un conducteur ( s : densit� surfacique de charge).

22. En d�duire la capacit� d’un tel condensateur plan.
(V1-V2) / e = Q / (S e0) ; C0 =Q /
(V1-V2) = e0S / e.

2.2 Mesure du d�placement par capteur capacitif.
23. On assimile la permittivit� di�lectrique de l’air � celle du vide
e0. Donner la valeur de C0 pour des disques de rayon R = 3,0 cm s�par�s par une distance e = 10 μm. Commenter la valeur obtenue.
C0 = 8,85 10-12 x 3,14 x 0,032 / 10-5 =2,5 10-9 F.
Cette valeur est tr�s faible devant les capacit�s utilis�es au lyc�e ( quelques microfarads).
24. Donner l’expression de la force entre les armatures de ce condensateur si la tension entre les bornes est maintenue fixe. Calculer la valeur de cette force si la tension est maintenue � 5 V.
Energie �lectrique stock�e dans le condensateur : E =�C0 U2=�
e0S / z U2.
On d�rive  � tension U constante : F = -e0S / e2 U2.
|F| =0,5 x8,85 10-12 x
3,14 x 0,032 / 10-10 x 52=3,1 10-3 N.
25. Etude du condensateur. Classe de terminale. Sp�cialit� physique-chimie.
Un professeur souhaite �tudier la charge d’un condensateur � travers un conducteur ohmique.
a. Sch�matiser le circuit �lectrique correspondant au montage.

b. Expliciter la fonction du premier code Arduino fourni par le professeur.
void setup( ) {
pinMode(9, OUTPUT);
}
void loop( ) {
digitalWrite(9, LOW);
delay(5) ;
digitalWrite(9, HIGH);
delay(5);
}
Ce programme permet de d�livrer une tension carr�e e(t) de p�riode T = 10 ms.
c. Indiquer comment l’�l�ve effectue le branchement sur le micro-controleur pour r�pondre aux exigences du second code Arduino fourni.
La broche commune � C et R est reli�e � A0 sur la carte arduino.
d. Expliquer la ligne de code � tension=valeur*5/1023 �.
Acquisition num�rique allant de 0 � 1023 ( 1023 correspondant � 5 V).
x lue par la carte correspond � la tension 5 x / 1023.
L’acquisition lors de la charge du condensateur permet de tracer la courbe ln(5-tension) en  fonction de t, ainsi que sa mod�lisation.

e. Etablir l’expression donn�e dans la question (3) de la partie � exploitation �. Expliciter l’int�r�t p�dagogique de travailler avec cette expression.
Exploitation :
1. �tablir l’�quation diff�rentielle v�rifi�e par la tension uC aux bornes du condensateur lors de sa charge. On suppose le condensateur initialement d�charg�.
Loi des mailles : E = R i(t) + uc(t) ; i(t) = dq(t) / dt = C duc/dt.
E =RC duc/dt + uc(t)
 2. D�terminer la solution de l’�quation diff�rentielle, �quation temporelle de la tension aux bornes du condensateur.
uc(t) = A exp(-t / RC) + E.
uc(t=0) = 0 = A+E soit A = -E.
uc(t) = E(1- exp(-t / RC).
3. Cette solution peut s’�crire �galement sous la forme :
E- uc(t) = E exp(-t / RC).
ln(
E- uc(t)) = ln(E) - t / (RC).
On pose t = RC ; ln(E- uc(t)) = ln(E) - t / t.
La repr�sentation logarithmique permet de trouver le temps caract�ristique, le coefficient directeur de la droite �tant -1 / t.
f. Proposer une question utilisant le graphe obtenu pour r�pondre aux exigences du programme. Formuler une r�ponse coh�rente � cette question.
A partir du trac� de
ln(E- uc(t)) en fonction du temps, retrouver la valeur du temps caract�ristique de la charge de ce condensateur.
-1 / t = -24,4 s-1 ; t = 1 /24,4 =0,041 s.

Afin d’expliciter la notion d’�quation diff�rentielle et sa r�alit� physique, le professeur envisage de l’aborder en activit� exp�rimentale de cours en repr�sentant duc(ti)/dt en fonction de uc(ti). Dans un premier temps, � l’aide du microcontr�leur, il rel�ve les valeurs de tensions successives.
Transf�r�es dans un tableur, il d�termine la d�riv�e de uc(ti) en calculant [uc(ti+1)-uc(ti)] /Dt.
g. Repr�senter duc(ti)/dt en fonction de uc(ti). Proposer un int�r�t didactique de cette repr�sentation.
Pour la charge : duc/dt = -1 / t (uc-E).
Pour la d�charge :
duc/dt = -1 / t uc.
Il existe un lien affine entre la fonction et sa d�riv�e. Le coefficient directeur �tant -1 / t.

h. Quel int�r�t scientifique pr�sente le recours � un portrait de phase, c’est-�-dire une repr�sentation duc(ti)/dt en fonction de uc(ti), lorsqu’on �tudie un syst�me dynamique ?
L'�tude du syst�me  se fait sans calcul de la fonction ; on d�termine facilement le comportement asymptotique du syst�me dynamique selon les conditions initiales.

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On cherche � mesurer les variations de l’�paisseur e. Une m�thode est de transformer une mesure d’�paisseur en une mesure de fr�quence beaucoup plus pr�cise. Pour ce faire, le principe consiste � r�aliser un oscillateur quasi-sinuso�dal dont la fr�quence est reli�e � l’�paisseur e. Parmi les oscillateurs possibles, on peut imaginer d’utiliser un oscillateur quasi-sinuso�dal dont le principe est repr�sent� sur
la figure suivante. Ce circuit utilise un amplificateur lin�aire int�gr�, ou ALI, qui est un composant �lectronique dont l’alimentation n’est pas repr�sent�e, consid�r� comme id�al et en r�gime lin�aire. En plus de l’ALI, le montage �tudi� comporte 3 r�sistances dont une variable, la r�sistance R3.
On commence par �tudier une partie du circuit repr�sent�. Cette sous-partie du circuit est repr�sent�e sur la figure ci-dessous. Pour un ALI id�al en r�gime lin�aire, on peut �crire que les intensit�s des courants i+ et i− rentrant dans l’ALI sont nulles : i+ = i− = 0 et que le gain est infini, conduisant, en r�gime lin�aire, � v+ = v− .

26. Rappeler les lois de Kirchhoff en �lectrocin�tique.
Loi des noeuds : la somme des intensit�s des courants qui arrivent � un noeud est �gale � la somme des intensit�s des courants qui en sortent.
Loi des mailles : dans l'approximation des r�gimes quasistationnaires et � condition que les varaitions de flux magn�tique � travers cette maille soient n�gligeables,  la somme alg�brique des diff�rences de potentiel le long d'une maille est nulle.
27. D�terminer la relation liant ve, vs, R3 et i.
ve =vs +R3 i.
28. D�terminer la relation liant ve, vs, R1 et R2.
ve = v- =v+ et i+ = 0 ; ve= R2 i' ; vs=(R2+R1) i' ;
ve= R2 / (R2+R1) vs.
29. En d�duire que l’on peut �crire ve = Rn i o� Rn est une grandeur n�gative homog�ne � une r�sistance, que l’on exprimera en fonction de R1, R2 et R3.
ve =vs +R3 i = (R2+R1) / R2 ve+R3 i.
ve [ 1- (R2+R1) / R2 ]=ve [ -R1 / R2 ] =R3 i.
ve= - R R3 / R1 i.

30. On place ce montage en s�rie avec une bobine d’inductance propre L et de r�sistance interne r et le condensateur d�crit pr�c�demment de capacit� C0 .

 �tablir une in�galit� entre R1, R2 et R3 et r exprimant la condition pour laquelle on peut observer l’apparition d’oscillations spontan�es dans le circuit �lectrique. Exprimer la fr�quence f0 de ces oscillations en fonction de L et C0. Pour une valeur de L = 2,0 mH, calculer la valeur de cette fr�quence de r�sonance pour la valeur de C0 =
2,5 10-9 F.
uc + uL +(r+Rn)i = 0.
q / C0 +L di /dt +
(r+Rn)i = 0.
i = dq /dt ;
q / C0 +L d2q /dt2 +(r+Rn)dq / dt = 0.
On observe des oscillation si le coefficient d'amortissement est n�gatif ou nul :
r+Rn < 0.
r <
R R3 / R1.
Fr�quence propre du circuit f0  :
d2q /dt2 +q / (LC0) =0 ; on pose w0 =1 /(LC0).
f0 =
w0 / (2p)=1 / [ 2p(LC0)].
f0=1 / [ 6,28 x(2 10-3 x
2,5 10-9 )]=7,1 104 Hz.
31. En g�n�ral, les ALI ont des d�fauts. Citer deux d�fauts des ALI g�n�ralement rencontr�s.
Imp�dance d'entr�e non infinie ; saturation en courant et en tension ; courants de polarisation ; bande passante finie.
32. Connaissant l’expression de C0(e) qui a �t� rappel�e � la question 22, �tablir la relation entre la variation de fr�quence de r�sonance Df0 et la variation de distance De pour une variation
De <<e : on exprimera Df0 en fonction de De, f0 et e. D�terminer l’incertitude-type acceptable
sur la mesure de f0 n�cessaire pour mesurer la distance e avec une incertitude de 0,1 nm.
f0 =
1 / [ 2p(LC0)] ;  C0 = e0S / e.
f0 = 1 / [ 2p(Le0S / e)]= k e avec k = 1 / [ 2p(Le0S )].
D�riv�e logarithmique : df0 / f0 =de / (2e).
Df0 / f0 =De / (2e).
Df0 =f0 De / (2e)  =7,1 104 x 1 10-10 /(2 x 10-5) =0,35 Hz.
33. Lorsque les armatures se d�placent suivant une loi De = a cos(2pf1 t) avec f1 << f0 repr�senter l’allure du signal en sortie de l’oscillateur ? Citer une technique qui permet de mesurer a.

a peut �tre mesur� � l'aide d'un convertisseur fr�quence tension.

D�placement par c�ramique pi�zo�lectrique
Dans le SFA le d�placement est assur� gr�ce � la c�ramique pi�zo�lectrique.
35. Indiquer l’identit� du scientifique qui a d�couvert la pi�zo�lectricit�. Expliquer en quelques mots le principe de la pi�zo�lectricit�. Citer une application de la pi�zo�lectricit� disponible au laboratoire de physique d’un lyc�e.
Pierre et Jacques Curie.
Certains mat�riaux se polarisent �lectriquement sous l'action d'une contrainte m�canique et r�ciproquement il peuvent se d�former sous l'action d'un champ �lectrique.
Au Lyc�e, les dispositifs � ultrasons utilisent la pi�zo�lectricit�.



  
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