Chute verticale dans un fluide visqueux.
Cet exercice propose de mod�liser la chute verticale d’une bille de plomb dans une huile
alimentaire.
Donn�es : Les actions exerc�es par le fluide sur la bille sont mod�lis�es par une force de
frottement fluide : f = 6
p h r v dans laquelle
h est la viscosit� du fluide, r est le rayon de la
bille et v le vecteur vitesse de la bille ;
intervalle des valeurs courantes de la viscosit�
h d’une huile alimentaire : entre 60 et
100 mPa�s.
Une bille de plomb de rayon r = 1,03 mm et de masse m = 0,056 g est l�ch�e � t = 0 s
sans vitesse initiale dans une huile alimentaire .
On nomme v(t) la valeur de la vitesse de la bille, exprim�e en m�s
-1 , � l’instant t, exprim�
en seconde.
L’axe Oy est orient� suivant la verticale descendante.
Le pointage des positions successives de la bille permet de tracer l’�volution de sa vitesse
en fonction du temps :
1. Justifier, � partir des r�sultats de la figure , que la chute de la bille n’est pas une chute
libre.
Dans le cas d'une chute libre sans vitesse initiale la vitesse est uen fonction lin�aire du temps : v = gt.
2. Estimer graphiquement la valeur de la vitesse de chute de la bille en r�gime permanent.
Vitesse limite de chute = 0,28 m /s.
Pour la suite de l’exercice, on prendra comme valeur de la viscosit� de l’huile alimentaire
h = 8010
-3
Pa�s.
3. En consid�rant le syst�me {bille} dans le r�f�rentiel du laboratoire suppos� galil�en,
�crire l’expression vectorielle de la seconde loi de Newton.
4. En d�duire, par projection de la deuxi�me loi de Newton sur l’axe (Oy), que la vitesse
de chute de la bille doit v�rifier l’�galit� :
dv
/dt
= -
6
phr
/m
v + g
mdv
/dt
= -
6phr
v +m g.
Diviser par m : dv
/dt
= -
6phr
/m
v + g
�tude math�matique de la vitesse.
On souhaite d�terminer une expression de la vitesse de la chute de la bille. Les donn�es
physiques de l’exp�rience conduisent � r�soudre l’�quation diff�rentielle (E) :
y ’ = - 27,7y + 9,81.
5. D�terminer l’ensemble des solutions de l’�quation diff�rentielle (E).
Solution g�n�rale de y '+27,7 y = 0 : y = A exp(-27,7t) avec A une constante.
Solution particuli�re de (E) : y = 9,81 / 27,7 =0,354.
Solution g�n�rale de (E) :
y = A exp(-27,7t) +0,354.
6. Montrer que l’unique solution v de l’�quation diff�rentielle (E) qui v�rifie v(0) = 0 est
d�finie par l’expression :
v(t) =
9,81/
27,7 (1-exp(-27,7 t)). Calculer la limite de v(t) en plus l'infini.
v(t=0) = A exp(-27,7*0) +0,354=0.
A +0,354 = 0 ; A = -0,354= -9,81 / 27,7.
v(t) =y = -9,81 /27,7 exp(-27,7t) +9,81 / 27,7.
v(t) =
9,81/
27,7 (1-exp(-27,7 t)).
En plus l'infini, le terme en exponentielle tend vers z�ro et v(t) tend vers9,81 / 27,7 m /s.
Analyse du mod�le obtenu.
Dans cette exp�rience, la valeur de la vitesse de la bille, exprim�e en m�s
-1
, en fonction
du temps t exprim� en s, est donn�e par la fonction v d�finie sur [0 ; 0,5] dont l’expression
est :
v(t) = 0,35 � (1-exp(-27,7 t)
).
8. V�rifier la coh�rence de l’ordre de grandeur de la limite obtenue � la question 7 avec
celui de la vitesse en r�gime permanent estim�e � la question 2. Proposer une justification
� l’�cart observ�.
Ecart relatif entre les deux valeurs :(0,35 -0,28) / 0,28 x100 =25 %.
La bille est soumise en plus des frottements � la pouss�e d'Archim�de, verticale vers le haut.
Le silicium dans les mol�cules organiques et dans les panneaux photovolta�ques.
Les propri�t�s semi-conductrices du silicium et son abondance sur Terre en font un
candidat de choix pour la fabrication des panneaux photovolta�ques.
Silicium et structure spatiale de mol�cules
Le trichlorosilane est un interm�diaire dans la fabrication du silicium ultra-pur. Une
repr�sentation de Cram est donn�e ci-dessous.
1. D�terminer la g�om�trie autour de l’atome de silicium dans la mol�cule de
trichlorosilane � l’aide de la th�orie VSEPR. La comparer � une g�om�trie courante autour
des atomes de carbone dans les mol�cules organiques.
Type AX
4, g�om�trie t�tra�drique.
2. Pr�ciser en justifiant la r�ponse, si la mol�cule de trichlorosilane est chirale.
Le silicium n'est pas li� � 4 atomes diff�rents : la mol�cule n'et pas chirale.
Les mol�cules organiques contenant du silicium sont aussi utilis�es pour synth�tiser des
mol�cules d’int�r�t biologique. La mol�cule ci-dessous, not�e A, permet la fabrication au
laboratoire d’une ph�romone naturelle.
3. Rep�rer deux groupes caract�ristiques de la mol�cule, les recopier dans la copie et
donner le nom de la fonction chimique associ�e � chacun d’entre eux.
4. Donner la d�finition d’un atome de carbone asym�trique.
Carbone li� � 4 atomes ou groupe d'atomes diff�rents.
5. Appliquer les r�gles de Cahn, Ingold et Prelog aux quatre groupes d’atomes port�s par
l’atome de silicium dans la mol�cule A pour leur classement par ordre de priorit�.
6. D�duire la configuration absolue de l’atome de silicium de la mol�cule, avec la m�me
m�thode que celle utilis�e pour un atome de carbone.
Structure cristalline des cellules en silicium d’un panneau photovolta�que.
Donn�es : dimensions de la cellule photovolta�que : 9,7 cm x 7,6 cm.
Diff�rents types de cellules en silicium sont utilis�es pour fabriquer des panneaux
photovolta�ques :
- les cellules monocristallines (sc-Si) dont le rendement commercial des modules se situe
entre 13 et 21 %. Cette technologie est avantageuse, mais pr�sente un co�t �lev� en
raison du prix des mat�riaux et de la quantit� d'�nergie requise pour leur fabrication ;
- les cellules polycristallines (mc-Si) dont le co�t de fabrication est plus avantageux mais
qui pr�sentent un rendement entre 11 et 18 % plus faible que les cellules monocristallines.
Environ 57 % des panneaux photovolta�ques vendus dans le monde se composaient de
cellules mc-Si en 2011 ;
- les cellules au silicium amorphe (a-Si) ne contenant du silicium que sur une �paisseur
d'environ 1 �m. Le caract�re amorphe, c’est-�-dire d�sordonn� des atomes de silicium
dans ces cellules entraine des rendements plus faibles, compris entre 6 et 8 %. Jusqu'en
2000, cette technologie a principalement �t� destin�e � alimenter de petits appareils
�lectroniques, comme des montres ou des calculatrices.
D’apr�s le site Futura-Sciences.
Dans le cadre de l’�tude exp�rimentale d’un panneau photovolta�que, on mesure la tension
U (en V) aux bornes du panneau photovolta�que et l’intensit� I (en A) du courant qu’il
d�livre lorsqu’il alimente une r�sistance variable R branch�e � ses bornes gr�ce au
dispositif exp�rimental ci-dessous :

Les mesures obtenues sont int�gr�es dans un programme �crit en langage Python pour
d�terminer la puissance �lectrique d�livr�e, not�e P�, dans le circuit par le panneau. Une
capture d’�cran d’un extrait du programme est donn�e ci-apr�s.
Le programme trace l’�volution de la tension U en fonction de l’intensit� I puis l’�volution
de la puissance P en fonction de la tension U aux bornes du g�n�rateur.
7. Justifier que le panneau solaire n’est pas une source id�ale de tension.
La tension U n'est pas constante, elle d�pend de l'intensit�.
8. D�terminer, parmi les valeurs mesur�es de la tension U et de l’intensit� I, celles pour
lesquelles la puissance d�livr�e par le panneau solaire est maximale.
U = 1,6 V et I = 0,5 A. P = U x I = 1,6 x0,5 = 0,8 W.
9. Recopier sur la copie la ligne de code du programme �crit en langage Python qui calcule
les valeurs successives de la puissance �lectrique lib�r�e P.
P= [U*I]
10. Sachant que les mesures ont �t� r�alis�es sous un �clairement �nerg�tique de
900 W�m
–2, d�terminer la nature probable de la cellule photovolta�que (cellule
monocristalline (sc-Si), cellule polycristalline (mc-Si) ou cellule au silicium amorphe (a-Si)).
Surface de la cellule S = 9,7 x 7,6 =73,72 cm
2 = 7,372 10
-3 m
2.
Puissance solaire re�ue : 900 x
7,372 10-3 ~6,6 W.
Rendement : 0,8 / 6,6 x100 ~12 %. ( cellule polycristalline)